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全球市場研究機構集邦科技(TrendForce)今日舉辦「集邦拓墣2018關鍵零組件趨勢論壇」展望2018年記憶體產業的發展，集邦科技表示，DRAM於2018年供需吃緊的態勢不變，價格也同步看漲，不過隨著三星平澤廠正式量產將為第4季投下變數，屆時對供需與價格都將帶來負面影響。至於NAND轉趨下跌，2018年上半年將面臨淡季效應，全年平均單位價格預估將下跌10~20%。
 
集邦科技預估，2018年DRAM的位元成長與需求成長相當，均在20%附近，其中手機用行動式記憶體需求將成長14%，伺服器記憶體也會成長，要觀察後續的拉貨力道，整體而言，2018年上半年，DRAM供需依舊吃緊，合約價也將持續上揚，第3季將價格呈現持平，第4季面臨到三星平澤新廠產能加入量產，將為供需局面帶來變數。
 
不過，集邦科技進一步表示，三星在DRAM市場的霸主地位不會變，即使新產能加入，但相信三星不會讓市場再度出現嚴重的供過於求、陷入價格崩盤的局面，只是會讓其他的供應商獲利變得比較少。
 
另外，集邦科技也指出，DRAM製程難度越來越高，明年主流製程仍會以1X為主，接下來的微縮技術將面臨嚴苛的瓶頸，這也代表著，未來DRAM廠要藉由微縮技術大幅增加產能的難度大幅提高。
 
就NAND Flash觀察，集邦科技表示， 2018年上半年受到淡季效應的影響，需求走弱，市場屆時將面臨小幅供過於求的情況，NAND Flash價格有機會走跌。下半年在需求回升，與NAND Flash原廠穩健擴充產能下，可能再次呈現供不應求的局面，價格跌勢也將停止。預估2018年NAND Flash ASP將較2017年衰退10%~20%。
 
集邦科技也預估，隨著3D NAND Flash產能大幅擴增，2018年NAND Flash位元成長幅度將達到40%，需求也同步成長40%。