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研調機構IC Insights預期,今年全球半導體業資本支出可望首度突破1000億美元大關,達1071億美元,年增15%,不過,明年市場需求減弱可能使得半導體資本支出可能趨緩,預估將減少12%。
 
在主要半導體大廠中,三星今年資本支出可能比去年的242億美元減少,不過,仍將維持在226億美元高檔水準且居全球半導體業之冠。
 
ICInsights表示,三星近2年資本支出合計將高達468億美元規模,除三星大舉支出,SK海力士等競爭對手支出也相當積極,已造成3D儲存型快閃記憶體(NAND Flash)產能過剩。
 
海力士今年半導體資本支出預估將增加58%,增加部分將主要集中在韓國的3D NANDFlash廠與中國無錫的DRAM廠。
 
由於目前DRAM市場需求趨緩並可能延續到明年上半年,三星、海力士與美光3大DRAM供應商的資本支出,預估將從2018年的454億美元減少到2019年的375億美元,減少17%。
 
因此,IC Insights推估明年整體半導體業資本支出可能較今年減少12%;其中,三星、英特爾、海力士、台積電與美光5大廠明年資本支出將減少14%,其餘的半導體廠明年資本支出減少約7%。




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