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晶圓代工廠漢磊（3707）及轉投資矽晶圓廠嘉晶（3016）今年營運看旺，受惠於拿下國際IDM廠金氧半場效電晶體（MOSFET）及絕緣閘雙極電晶體（IGBT）委外代工訂單，能見度已看到第3季底，加上在第3代半導體材料碳化矽（SiC）與氮化鎵（GaN）布局領先同業，並成功卡位5G及電動車市場。法人看好漢磊今年每季都可維持獲利，嘉晶今年獲利有機會較去年倍增。
國際IDM廠去年大舉調整產能配置，功率電晶體產能幾乎全數調撥生產汽車電子等高毛利MOSFET及IGBT產品，導致個人電腦、伺服器、消費性電子等3C產品所需的MOSFET及IGBT供給量大缺，價格也水漲船高。第1季雖然進入3C產品傳統淡季，但應用在3C產品中的MOSFET及IGBT仍供不應求，包括國際整流器（IR）、Microsemi等IDM廠於是擴大委外代工，漢磊及嘉晶接單暢旺，第2季接單全滿，且訂單能見度已看到第3季底。
以EPI矽晶圓市場來看，由於EPI矽晶圓缺貨嚴重，價格持續調漲，如6吋EPI矽晶圓第1季價格已漲破40美元，第2季底可望上看45～50美元，嘉晶直接受惠，今年底前產能已全數賣光，營收以及獲利成長動能強勁。
此外，看好5G將於2020年將邁入商轉，加上汽車走向智慧化、聯網化與電動化的趨勢，漢磊及嘉晶已搶先布局第3代半導體材料的SiC及GaN市場，由嘉晶提供SiC及GaN晶圓材料，漢磊則提供基於SiC及GaN的晶圓代工服務，今年就可望有小幅營收貢獻。
相較目前主流的矽晶圓，第3代半導體材料SiC及GaN晶圓除了耐高電壓的特色外，也分別具備耐高溫與適合在高頻操作下的優勢，可使晶片面積大幅減少，簡化周邊電路的設計，加上低導通電阻及低切換損失的特性，能大幅降低車輛運轉時的能源轉換損失。法人看好SiC及GaN等新製程及材料將在5G及汽車電子市場扮演重要角色，漢磊及嘉晶將直接受惠。
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