五福臨門 楊惠珊今日個股看法：日月光投控、技嘉、聯詠

為搶奪龐大的半導體市場商機，南韓三星電子檯面下動作頻頻，除了先前傳出擬以斷貨極紫外光微影設備(EUV)手段，阻礙晶圓代工對手台積電的先進製程量產進度外，今(29)日韓媒又報導，三星計畫將EUV機台導入10奈米的DRAM產線，預訂2019年量產，以解決生產瓶頸，並拉開與競爭同業距離。

半導體大廠搶進先進製程，尤以10奈米以下必須導入波長只有13.5奈米的極紫外光(EUV)，才能降低晶圓製造的光罩數，縮短晶片製程流程。由於要價1.5億美元(折合新台幣約45億元)的EUV設備，目前只有艾司摩爾(ASML)獨家供應，先前韓媒曾報導三星擬訂下ASML近9成機台，以阻礙台積電等廠的量產進度。

根據《BusinessKorea》引述業界人士消息指出，考量現有ArF浸潤式製程，不易將DRAM微縮至10奈米，三星計畫在南韓華城廠增建EUV專用的DRAM產線，裝設4至8台EUV設備以解決生產瓶頸，最快下個月開始動工，2019年正式啟用。不過，10奈米生產速度較慢，這些產線能否獲利仍有變數存在。

三星是全球DRAM霸主，今年第3季在行動裝置、伺服器的市佔率分別達58.3%、45.9%，2016年下半年首先量產18奈米DRAM，今年下半年將推進至15奈米，製程領先對手1至2年。雖然導入EUV仍有幾項缺點，但專家認為三星仍會考慮以EUV生產10奈米DRAM，以維持市場龍頭寶座。